工業(yè)ct，X射線探傷機(jī)探測(cè)器類別：

  工業(yè)ct，X射線探傷機(jī)探面陣探測(cè)器

面陣探測(cè)器主要有高分辨半導(dǎo)體芯片、平板探測(cè)器和圖像增強(qiáng)器三種類型。半導(dǎo)體芯片又分為CCD和CMOS。CCD 對(duì)X 射線不敏感,表面還要覆蓋一層閃爍體將X 射線轉(zhuǎn)換成CCD敏感的可見光。平板探測(cè)器和圖像增強(qiáng)器本質(zhì)上也需要內(nèi)部的閃爍體先將X射線轉(zhuǎn)換成這些器件敏感波段的可見光。

  工業(yè)ct，X射線探傷機(jī)平板探測(cè)器通常用表面覆蓋數(shù)百微米的閃爍晶體(CsI) 的非晶態(tài)硅或非晶態(tài)硒做成。像素尺寸127或200μm，平板尺寸約45cm(18in)。讀出速度大約3～7.5幀/ s。優(yōu)點(diǎn)是使用比較簡(jiǎn)單，沒有圖像扭曲。圖像質(zhì)量接近于膠片照相，基本上可以作為圖像增強(qiáng)器的升級(jí)換代產(chǎn)品。主要缺點(diǎn)是表面覆蓋的閃爍晶體不能太厚，對(duì)高能X 射線探測(cè)效率低；難以解決散射和竄擾問題，使動(dòng)態(tài)范圍減小。

圖像增強(qiáng)器是一種傳統(tǒng)的面探測(cè)器，是一種真空器件。名義上的像素尺寸＜100μm，直徑為152～457mm(6～18 in)。讀出速度可達(dá)15～30幀/s，是讀出速度的面探測(cè)器。由于圖像增強(qiáng)過程中的統(tǒng)計(jì)漲落產(chǎn)生的固有噪聲，圖像質(zhì)量比較差，一般射線照相靈敏度僅7%～8%，在應(yīng)用計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)疊加的情況下，射線照相靈敏度可以提高到2 %以上。另外的缺點(diǎn)就是易碎和有圖像扭曲。

1.2.2 工業(yè)ct，X射線探傷機(jī)線陣探測(cè)器

X射線線陣列成像器是將一種用特殊材料制造的新型射線探測(cè)器排列成一個(gè)陣列，利用CMOS技術(shù)直接與一塊大規(guī)模集成電路耦合連接在一起，同步完成射線接受、光電轉(zhuǎn)化、數(shù)字化的全過程。這種射線/數(shù)字的直接轉(zhuǎn)換方法，大幅度減小了信號(hào)長(zhǎng)距離傳輸和轉(zhuǎn)化過程中由于信噪比降低帶來的各種干擾信號(hào)，系統(tǒng)在動(dòng)態(tài)檢測(cè)時(shí)噪聲很低。

丹東恒隆科技有限公司銷售的工業(yè)ct，X射線探傷機(jī)探測(cè)器模塊在探測(cè)器平臺(tái)上呈弧形排列，保證射線源點(diǎn)產(chǎn)生的各角度一次射線垂直射入探測(cè)器模塊內(nèi)，提高探測(cè)效率，減小射線串?dāng)_。A/D轉(zhuǎn)換動(dòng)態(tài)范圍為24 bits，系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍寬，信噪比高，歡迎來場(chǎng)參觀考察。