工業(yè)CT常用的探測(cè)器的選擇你知道么

發(fā)布日期：2023-10-25 作者：點(diǎn)擊：

工業(yè)CT常用的探測(cè)器主要有兩種：線陣探測(cè)器和面陣探測(cè)器。

工業(yè)CT線陣探測(cè)器

主要優(yōu)點(diǎn)：閃爍體在射線方向上的深度可以不受限制，從而使入射的大部分X光子被俘獲，提高探測(cè)效率。尤其在高能條件下，可以縮短光子獲取時(shí)間；由于閃爍體是獨(dú)立的，并且同時(shí)閃爍體之間還有鎢或者其它重金屬隔片，降低了X射線竄擾。

主要缺點(diǎn)是：像素尺寸不可能做得太小，其相鄰間隔（節(jié)距）一般大于0.1mm。價(jià)格也較高。

通常，高能、低能情況下均可配線陣探測(cè)器。

工業(yè)CT面陣探測(cè)器

相比線陣探測(cè)器，面陣探測(cè)器有較高的射線利用率，適合于DR成像，可以達(dá)到實(shí)時(shí)或準(zhǔn)實(shí)時(shí)的動(dòng)態(tài)成像；另外，面陣探測(cè)器也比較適合于三維直接成像。所有面陣探測(cè)器由于結(jié)構(gòu)上的原因，有共同的缺點(diǎn)，即射線探測(cè)效率低，無(wú)法限制散射和竄擾問(wèn)題；動(dòng)態(tài)范圍小等，高能范圍應(yīng)用效果較差。

通常4MeV以下，系統(tǒng)可以配面陣探測(cè)器；但如果在高能情況下，只檢測(cè)工件內(nèi)部結(jié)構(gòu)，不檢測(cè)缺陷時(shí)，也可以配面陣，只是圖像精度不高。